屏蔽栅MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET，缩写 SGT-MOSFET）功率器件是一种基于传统沟槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一种改进型的沟槽式功率 MOSFET。其基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。其屏蔽栅在漂移区中起到了体内场板的作用，使SGT在比导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面有着显著的优势，能有效提高系统的能源利用效率。
2023年，全球SGT MOSFET市场规模达到了1,948.06百万美元，预计2030年将达到3,315.00百万美元，年复合增长率（CAGR）为7.96%。
地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2023年市场规模为852.79百万美元，约占全球的43.78%，预计2030年将达到1,533.86百万美元，届时全球占比将达到46.27%。
从产品类型及技术方面来看，≤100V的产品占当前的市场主流，从销售量来看大概占市场的58.85%。目前主流厂家的能够生产的产品区间大都在30V到200V左右。
从产品市场应用情况来看，当前主要的应用场景为消费电子，主要用于快充，电源等应用，从销售量来看2023年占据了45.97%的市场，其次是工业电子大概占据31.50%的市场份额。值得一提的是汽车电子的应用，由于车规级SGT MOSFET需要经过认证，对其要求相对较高，因此目前用于汽车的SGT MOSFET产品相对较少，但由于新能源汽车的发展，相对于传统的Trench结构，SGT MOSFET性能更加优秀，未来将大量使用SGT MOSFET的产品，市场前景巨大。
目前全球主要厂商包括英飞凌、安森美、AOS、新洁能、华润微、捷捷微电、士兰微、东微半导体、扬杰电子和恒泰柯等，2023年Top5厂商份额占比达到了72.80%，预计未来几年行业竞争将更加激烈，尤其在中国市场。当前国内整体产品性能较国外领先厂家还存在一定距离，但由于国产替代的大趋势，国内厂商研发加速，当前领先厂家的产品性能以及赶上或者接近先进水平，将有望占据我国绝大部分市场。
SGT MOSFET属于功率半导体行业，其发展也将受到国家的大力推动，电动车和新能源发电领域对于功率半导体的需求将持续高速增长，为市场带来巨大的发展动力。同时由于SGT MOSFET受晶圆供给影响较大，对其市场发展有一定制约。
以上内容节选自恒州诚思 YH Research《2024年全球及中国SGT MOSFET行业头部企业市场占有率及排名调研报告》，同时恒州诚思 YH Research还可根据客户实际业务需求，定制化服务客户，提供适合企业的定制化报告，也提供英文，日语，韩语等不同语种版本报告。
