管高阻态ＭＯＳ (Ｈi-Ｚ) 深入解析
金属氧化物半导体场效应晶体管 (ＭＯＳＦＥＴ)，简称 ＭＯＳ 管，作为现代电子电路中很重要，不可缺少的一部份，用于各种领域，比如可以电源管理、信号放大、数字逻辑电路等。理解 ＭＯＳ 管的工作原理对电路和分析非常的重要，而其中一个关键概念就是高阻态 (Ｈi-Ｚ)。
高阻态，顾名思义，指的是 ＭＯＳ 管出现出极高阻抗的状态，类似于电路中的断路此状态下，几近没有电流可以通过 ＭＯＳ 管的漏极和源极之间。 那末，ＭＯＳ 管是如何进入高阻态的呢？这主要取决于 ＭＯＳ 管的类型和栅极电压。
以常见的 Ｎ 沟道增强型 ＭＯＳ 管为例，当栅极电压低于阈值电压时，ＭＯＳ 管处于截止状态，此时漏极和源极之间构成反向偏置的 ＰＮ 结，几近没有电流可以通过，出现出高阻态。
高阻态的运用非常，以以下举几个典型例子：
摹拟开关和多路复用器: 通过控制 ＭＯＳ 管的栅极电压，可使其在导通和高阻态之间切换，从而实现信号的选通和切换功能。
电平转换: 利用 ＭＯＳ 管的高输入阻抗特性，可以实现不同电压等级信号之间的转换，比如可以将低电压信号转换为高电压信号。
阻抗匹配: 在部份电路，对信号源和负载之间的阻抗进行匹配，以取得最好的信号传输效果。此时可以利用 ＭＯＳ 管的高阻态特性，作为缓冲级来实现阻抗匹配。
总而言之，ＭＯＳ 管的高阻态是其重要特性电路中扮演着很重要，不可缺少的角色。 深入理解高阻态的原理及其运用，对掌握 ＭＯＳ 管的工作机制，和出高效、稳定的电路系统非常的重要。
