管ＭＯＳ，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Ｍetal-Ｏxide-Ｓemiconductor Ｆield-Ｅffect Ｔransistor），是一种运用的半导体器件。能够开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等优点，被用于电源管理、信号放大、开关电路等领域。理解管的管脚ＭＯＳ功能对正确使用和电路非常的重要。
管有三个管脚ＭＯＳ，分别是栅极（Ｇate，简称Ｇ）、源极（Ｓource，简称Ｓ）和漏极（Ｄrain，简称Ｄ）。
栅极（Ｇ）： 栅极是管的控制端ＭＯＳ，相当于三极管的基极。通过加在其和源极之间的电压来控制导通和截止状态。当栅源电压超过一定阈值时，管导通ＭＯＳ；反之，则截止。栅极与源极和漏极之间都是绝缘的，这样看来栅极电流极小，输入阻抗非常高。
源极（Ｓ）： 源极可以理解为电流流出的公共端沟道管中ＮＭＯＳ，电流从漏极流向源极；而在沟道管中ＰＭＯＳ，电流从源极流向漏极。情况下，源极接地或接电源负极。
漏极（Ｄ）： 漏极可以理解为电流流入的端沟道管中ＮＭＯＳ，电流从漏极流向源极；而在沟道管中ＰＭＯＳ，电流从源极流向漏极。
注意的是，管的三个管脚其实不是固定不变的ＭＯＳ，根据不同的封装情势和型号，排列顺序会有所不同。这样看来实际运用，我们查看芯片的数据手册或使用万用表进行丈量，才能准确地肯定每一个管脚的功能。
掌握管ＭＯＳ的管脚功能对理解其工作原理和运用非常的重要实际电路，我们根据具体的运用需求选择适合的管型号ＭＯＳ，并正确连接各个管脚，才能确保电路的正常工作。
