异质结双极晶体管（Ｈeterojunction Ｂipolar Ｔransistor，ＨＢＴ）是一种特殊类型的双极结型晶体管（ＢＪＴ），利用不同的半导体材料构成发射结，以改良器件的性能。与以前的同质结双极晶体管相比，异质结双极晶体管能够更高的速度、更高的频率响应、更低的噪声系数和更高的功率处理能力。
异质结双极晶体管之所以能够这些优越的性能，是由于其发射结是由两种不同的半导体材料构成的，这两种材料能够不同的带隙。情况下，发射区的材料能够较宽的带隙，而基区的材料能够较窄的带隙。这类结构可以可以地抑制少数载流子的注入，从而提高器件的电流增益和速度。异质结还可以下降基区电阻，从而提高器件的频率响应和功率处理能力。
异质结双极晶体管的运用领域非常，包含了：
无线通讯: 能够高频、低噪声和高功率处理能力的特性，ＨＢＴ 用于手机、基站、卫星通讯等无线通讯领域。
光纤通讯: ＨＢＴ 可以用于高速光信号的放大和调制，满足光纤通讯对高速率和长距离传输的需求。
高速数字电路: ＨＢＴ 的高速度和低功耗特性使其成为高速数字电路，比如可以高速处理器和存储器，的理想选择。
射频辨认 (ＲＦＩＤ): ＨＢＴ 可用于 ＲＦＩＤ 标签和读取器中的射频前端电路，实现高效的数据传输。
目前，经常使用的异质结双极晶体管材料体系包含了：
硅锗异质结双极晶体管 (ＳiＧe ＨＢＴ): ＳiＧe ＨＢＴ 是最成熟的 ＨＢＴ 技术，使用硅锗合金作为发射区材料，与硅基集成电路工艺兼容，本钱相对较低。
砷化镓/砷化铝镓异质结双极晶体管 (ＧaＡs/ＡlＧaＡs ＨＢＴ): ＧaＡs/ＡlＧaＡs ＨＢＴ 能够更高的电子迁移率和更宽的带隙，这样看来能够更高的速度和频率响应，但本钱也更高。
磷化铟/磷化铟镓异质结双极晶体管 (ＩnＰ/ＩnＧaＡs ＨＢＴ): ＩnＰ/ＩnＧaＡs ＨＢＴ 能够更高的电子迁移率和更低的噪声系数，适用于毫米波和太赫兹运用。
半导体技术的不断发展，异质结双极晶体管的性能将进一步提高，运用领域也将更加。
