场效应晶体管（ＦＥＴ）作为一种重要的半导体器件电子行业中扮演着非常的重要的角色。科技的不断进步和市场需求的不断变化，场效应晶体管行业也出现出一些新的发展趋势。
微型化和集成化
电子装备向更小尺寸、更高性能的方向发展，对场效应晶体管的尺寸要求也愈来愈高。微型化和集成化成为场效应晶体管行业发展的重要趋势。比如可以，技术通过将场效应管立体化ＦinＦＥＴ，可以地缩小了器件尺寸，提高了集成度，已成为22纳米及以下工艺节点的主流技术。
新材料和新结构
以前的硅基场效应晶体管在性能提升方面逐步遇到瓶颈，新材料和新结构的运用成为突破瓶颈的关键。比如可以，碳纳米管、石墨烯等二维材料优良的电学性能，被认为是未来场效应晶体管的潜伏材料。铁电负电容场效应晶体管等新结构器件也展现出巨大的运用潜力，有望突破以前场效应晶体管的性能极限。
运用领域不断拓展
物联网、人工智能、5通讯等新兴技术的快速发展Ｇ，场效应晶体管的运用领域也在不断拓展。比如可以物联网领域，低功耗、高灵敏度的场效应晶体管被用于传感器、射频辨认等装备中人工智能领域，高性能、低功耗的场效应晶体管是构建神经网络芯片的关键器件。
市场竞争日益剧烈
场效应晶体管运用领域的不断拓展，市场需求延续增长，吸引了愈来愈多的企业进入该领域。国际巨头如英特尔、台积电等凭仗技术和资金优势占据了市场主导地位，同时国内企业也在积极追逐，市场竞争日益剧烈。
结语
未来，新材料、新结构、新工艺的不断出现，场效应晶体管行业将继续保持快速发展态势。微型化、集成化、低功耗、高性能将是未来场效应晶体管发展的主要方向，同时也将推动电子参数产业向更高水平发展。
